Гайд по всем чипам DDR4: Архитектура и Разгон
Разбор популярных чипов оперативной памяти DDR4. Понимание того, какой чип стоит в вашей памяти, критически важно для безопасного и эффективного разгона.
🔴 Hynix (SK Hynix)
MFR (M-die) / MJR
- Архитектура: Deneb
- Техпроцесс: 25 нм
Разгонный потенциал практически нулевой в силу старой архитектуры и крупного техпроцесса. Однако, если у вас процессор с удачным контроллером памяти и хорошая материнская плата, путем повышения напряжения (VDDIM) можно добиться результатов в районе 3800–4000 МГц CL18.
AFR (A-die) / AJR
- Архитектура: Deneb
- Техпроцесс: 21 нм
Обновленная версия MFR. Парадоксально, но старые MFR часто предпочтительнее для разгона, так как более старый техпроцесс лучше реагирует на повышение вольтажа. Для AFR повышение напряжения — это также единственный способ получить хоть какой-то разгон.
JJR (J-die)
- Архитектура: Alius
- Техпроцесс: 18 нм
Фактически, это CJR, но более низкого качества. Часто не могут обеспечить абсолютную стабильность даже на 3600 CL16.
CJR (C-die)
- Архитектура: Alius
- Техпроцесс: 18 нм / 15 нм (Canopus)
Существуют разные вариации CJR, от которых напрямую зависит потенциал:
- Старые (до 8 Gbit): Не умеют работать с
tCL < 18, иногда не берут даже 3800 CL18. - Новые (16 Gbit Canopus, 15 нм): Уверенно берут 3733 CL16 при напряжении
< 1.41V.
DJR (D-die)
Обновленная ревизия, которая делится на две вариации:
- Rigel (16 нм): “Дубовые”, уровень старых CJR или хуже.
- Davinci (18 нм): Отличные чипы. Держатся на равных с легендарными Micron E-die и Samsung B-die по частоте, но масштабируемость вторичных таймингов у них чуть хуже.
🔵 Samsung
Samsung B-die
- Архитектура: Boltzmann
- Техпроцесс: 20 нм
Самые известные чипы в сообществе оверклокеров. Отличаются феноменальным разгоном по частоте и, что важнее, возможностью максимально ужать тайминги (особенно tRCD и tRP).
У B-die есть маркировка качества (в конце Part Number, видна в Thaiphoon Burner):
- BCRC: Низкий биннинг (качество). С трудом берут 3600 CL17-18 даже при 1.4V.
- BCTD: Средний уровень. Точный потенциал варьируется.
- BCPB: Лучшее качество. Именно они ставят рекорды.
Важно: Маркировка не всегда соответствует реальности.
BCRCможет погнаться как топ, аBCPB— огорчить. Требуется проверка на практике. В данный момент сняты с производства (с 2019 года), поэтому цены на остатки высоки.
Samsung C-die
- Архитектура: Pascal
- Техпроцесс: 18 нм
Samsung D-die
- Архитектура: Armstrong
- Техпроцесс: 18 нм
Хорошая замена для B-die и A-die, но в одноранговом (Single Rank) исполнении. Встречается чаще, гонится очень хорошо (лучше, чем Hynix CJR).
Прочие Samsung
- A-die (Armstrong, 17 нм): Неплох для Dual Rank (модули 16/32 ГБ), но редок.
- E-die (Boltzmann, 20 нм): Ничего интересного, уровень 3600-3800 CL18.
- M-die (Pascal, 18 нм): Смесь проблем A-die и C-die.
⚫ Micron
Micron Rev.E (E-die)
- Техпроцесс: 19 нм (8 Gbit)
Одни из лучших чипов на рынке. Входят в ТОП-3 по разгону, способны брать частоты 5000+ МГц. Являются доступным аналогом Samsung B-die. В среднем легко берут 3933–4200 CL16 и отлично масштабируются от напряжения.
Micron B-die
- Старые (25 нм, 4 Gbit): Мусор, уровень Hynix AFR.
- Новые (20 нм, 16 Gbit): Могут показывать отличные результаты, вплоть до 4000 CL16 при напряжении 1.4–1.45V.
Micron Rev.R / Rev.F
Низкосортные чипы (14/15 нм). Часто встречаются в модулях ADATA XPG c XMP 3200. Не любят напряжение выше 1.4V. Потолок разгона — обычно 3600 CL16.
Spectek (D-die и др.)
Spectek — это дочерний бренд Micron для отбраковки. Если видите логотип Spectek (“S”), значит это чипы, не прошедшие строгий контроль качества Micron. Разгон — лотерея, обычно на уровне Hynix JJR.
Вопросы по статье
Как определить чипы на своей памяти?
Софт для диагностики и разгона
Полезные ресурсы
- 📄 GitHub DDR4 OC Guide — Библия разгона памяти.
- 📊 Таблица от anta777 — Пресеты для тестирования стабильности в TestMem5.
- 💬 Форум IXBT (Anta777) — Обсуждение и советы экспертов.